0512-65681381
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MATS-3000S聯(lián)眾軟磁材料測(cè)量?jī)x鐵氧1、探頭加入空氣磁通補(bǔ)償線(xiàn)圈，結(jié)果更準(zhǔn)確 2、磁通正弦，消除諧波影響; 不含銅損，鐵損測(cè)量真實(shí) 3、適合各種形狀和尺寸的單片測(cè)量 4、定 B(磁感)測(cè)量 Ps（鐵損） 5、三個(gè) Bm 測(cè)試點(diǎn)自由設(shè)定 6、手工繪制 Ps(B)損耗曲線(xiàn)
產(chǎn)品分類(lèi)
MATS-3000S聯(lián)眾軟磁材料測(cè)量?jī)x鐵氧
一、簡(jiǎn)介
ATS-101M硅鋼片鐵損測(cè)量?jī)x適用于硅鋼片、電機(jī)、變壓器等生產(chǎn)廠家對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的管控，原料以及沖壓成形的單片均可檢測(cè)。儀器讀數(shù)直觀，操作簡(jiǎn)易，只需將測(cè)頭覆蓋測(cè)試樣片即可讀得Ps值（W/KG）。
產(chǎn)品特性：
1、探頭加入空氣磁通補(bǔ)償線(xiàn)圈，結(jié)果更準(zhǔn)確
2、磁通正弦，消除諧波影響; 不含銅損，鐵損測(cè)量真實(shí)
3、適合各種形狀和尺寸的單片測(cè)量
4、定 B(磁感)測(cè)量 Ps（鐵損）
5、三個(gè) Bm 測(cè)試點(diǎn)自由設(shè)定 6、手工繪制 Ps(B)損耗曲線(xiàn)
參照國(guó)標(biāo)GB/T13789-92中的測(cè)量方法設(shè)計(jì)而成，采用單片機(jī)控制技術(shù)和A/D、D/A相結(jié)合，內(nèi)置正弦波勵(lì)磁電源。各種厚度的冷軋取向、無(wú)取向和熱軋的硅鋼片等亦均可使用。
測(cè)試項(xiàng)目
測(cè)試樣品種類(lèi)：可測(cè)試非晶/納米晶、硅鋼、坡莫合金和軟磁鐵氧體等軟磁材料;
測(cè)試樣品形狀：直接在樣品上繞制勵(lì)磁（N1）和感應(yīng)（N2）線(xiàn)圈測(cè)量環(huán)形、矩形、EE形、EI形和U形等閉路樣品;
采用愛(ài)潑斯坦方圈測(cè)量30mm?300mm硅鋼片的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率， 以及交流磁化曲線(xiàn)和損耗曲線(xiàn);
可訂制非標(biāo)磁磁導(dǎo)計(jì)測(cè)量特定尺寸的硅鋼片在頻率為50Hz和60Hz下的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率， 以及交流磁化曲線(xiàn)和損耗曲線(xiàn);
可定制鐵芯測(cè)試工裝測(cè)量特定尺寸的電機(jī)定子鐵芯和非晶卷繞鐵芯等軟磁樣品及磁性器件的比總損耗Ps、磁極化強(qiáng)度Jm、磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm、比視在功率Ss、振幅磁導(dǎo)率， 以及交流磁化曲線(xiàn)和損耗曲線(xiàn);
MATS-3000S聯(lián)眾軟磁材料測(cè)量?jī)x鐵氧技術(shù)參數(shù)
1、硬件參數(shù)
1.1、MATS-3000M硅鋼材料測(cè)量裝置
| 型號(hào) | MATS-3010M/10k | MATS-3010M/20k | |
| 輸出功率 | 500VA正弦波 | 500VA正弦波 | |
| 頻率范圍 | 45Hz～10kHz | 45Hz～20kHz | |
| 頻率細(xì)度 | 1Hz | 1Hz | |
| 輸出電壓 | A型 | 0～2V～10V～50V～150V 四檔自動(dòng)量程，用于環(huán)形試樣測(cè)試； | |
| B型 | 0～10V～50V～150V～300V四檔自動(dòng)量程，用于愛(ài)潑斯坦方圈樣品測(cè)試； | ||
| 輸出電流 | 0～10A | 0～10A | |
| 測(cè)量模式 | 支持全頻段鎖定磁感和鎖定磁場(chǎng)測(cè)量 | ||
| 保護(hù)功能 | 過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓和參數(shù)保護(hù) | ||
1.2、PC-6684數(shù)據(jù)采集卡
| 參數(shù) | 技術(shù)指標(biāo) |
| 采樣速率 | 40MHz×2通道 |
| 分辨率和線(xiàn)性度 | 12Bit±1/2LSB |
| 電壓量程 | ±1V（滿(mǎn)量程） |
| 采樣時(shí)標(biāo) | 25ns～800ns硬件時(shí)標(biāo) |
| 內(nèi)存容量 | 512kByte×2 |
系統(tǒng)參數(shù)
1.使用環(huán)境
| 參數(shù) | 技術(shù)指標(biāo) |
| 輸入電源 | 單相220V，50Hz |
| 使用環(huán)境 | 環(huán)境溫度：23±5℃；環(huán)境濕度：30～75%RH |
| 外磁場(chǎng)干擾 | 應(yīng)避免 |
| 熱平衡時(shí)間 | 10分鐘 |
2、系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)
2.1、依據(jù)***GB/T 3655-2008，在50Hz、60Hz頻率下，使用25cm愛(ài)潑斯坦方圈測(cè)量30×300的硅鋼標(biāo)樣，技術(shù)指標(biāo)如下：
| 被測(cè)參數(shù) | Ps(%) | Hrms(%) | Bm(%) | Hm(%) | |
| 不確定度(k=2) | 1 | 2 | 1 | 2 | |
| 重復(fù)性(恒溫) | ± 0.5 | ± 1 | ± 0.5 | ± 1 | |
| 備注 | 1.鎖B測(cè)試晶粒無(wú)取向硅鋼片Bm：1.5T；測(cè)試晶粒取向硅鋼片Bm：1.7T。 2.鎖H測(cè)試晶粒無(wú)取向硅鋼片Hm：1000A/m;測(cè)試晶粒取向硅鋼片Hm：500A/m。 | ||||
2.2、依據(jù)***GB/T 3658-2008，在20Hz～2kHz頻率下，測(cè)量坡莫合金環(huán)形試樣，技術(shù)指標(biāo)如下：
| 被測(cè)參數(shù) | Ps(%) | μa(%) | δ(%) | Bm(%) | Hm(%) |
| 不確定度(k=2) | 3 | 2 | —— | 1 | 1 |
| 重復(fù)性(恒溫) | ± 1.5 | ± 1 | ± 1 | ± 0.5 | ± 0.5 |
| 備注 | 1.試樣應(yīng)為薄壁環(huán)，外徑/內(nèi)徑≤1.25。 2.測(cè)試前應(yīng)先退磁，退磁場(chǎng)頻率≤測(cè)試頻率。 3.不確定度為“-"，表示***中不要求。 | ||||
2.3、依據(jù)***GB/T 19346.1-2017，測(cè)量非晶環(huán)形試樣，技術(shù)指標(biāo)如下：
| 被測(cè)參數(shù) | Ps(%) | μa(%) | Ss(%) | Bm(%) | Hm(%) |
| 不確定度(k=2) | 3 | 3 | 3 | 1 | 1 |
| 重復(fù)性(恒溫) | ± 1.5 | ± 1.5 | ± 1.5 | ± 0.5 | ± 0.5 |
| 備注 | 1.試樣應(yīng)為薄壁環(huán)，外徑/內(nèi)徑≤1.25。 2.測(cè)試前應(yīng)先退磁，退磁場(chǎng)頻率≤測(cè)試頻率。 3.不確定度為“-"，表示***中不要求。 | ||||
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